TuZ 2016

1. Beitrag: Testschaltung für MEMS-Inertialsensoren-Auswerte-ASIC, R. Paris, P. Kornetzky, J. Klaus

Abstract: MEMS-Inertialsensoren arbeiten meist nach dem Prinzip der beschleunigungsabhängigen Kapazitätsänderung von Siliziumstrukturen. Zur ihrer Auswertung können ladungsempfindliche Operationsverstärker verwendet werden. Die Charakterisierung dieser Auswerteschaltungen in herkömmlicher Weise erfordert einerseits kompatible kalibrierte MEMS-Sensoren als auch einen komplexen Testaufbau, mit dem definierte Beschleunigungen mit Frequenzen bis in den zweistelligen Kilohertzbereich erzeugt werden können. Deshalb wurde eine Schaltung entwickelt, die für den Auswerte-ASIC ein MEMS-Sensor-äquivalentes Verhalten zeigt, aber über eine Steuerspannung angeregt wird. Hierdurch ist eine Charakterisierung ohne Verwendung bewegter Bauteile möglich.

2. Beitrag: Hochtemperatur-Wafertest bis 300°C, M. Reinhard, I. Gryl, U. Liebold, A. Richter

Abstract: Die Anforderungen an den Temperaturbereich von integrierter Sensorik und Auswerteelektronik steigen stetig. Gleiches gilt auch für den Test auf Waferebene. Standard-Probecards aus Epoxidharz erlauben nur Temperaturen unter 200°C. Andere Materialien wie Polyimid und Teflon stoßen bei 300°C ebenfalls an ihre Grenzen. Dies gilt insbesondere auch für die Bauelemente der Testbeschaltung auf der Probecard. Daher wurde im BMBF-Forschungsprojekt HoTSens ein neues Testsetup entwickelt, aufgebaut und erprobt. Am Beispiel der Charakterisierung eines ASICs wird gezeigt, dass damit ein kompletter halbautomatischer Wafertest bis 300°C möglich ist.

Montag, 7.3.2016, 15:00  – 16:00 (beide Präsentationen).