Aktuelle Publikation
2H-AlGaN/GaN HEMTs on 3C-SiC(111)/Si(111) substrates
K. Tonisch1.
W. Jatal1.
R. Granzner2.
M. Kittler2.
U. Baumann3.
F. Schwierz2.
J. Pezoldt1.
13. Internationale ICSCRM, 11. - 16. Oktober 2009, Nürnberg
1FG Festkörperelektronik, Institut für Mikro- und Nanotechnologien.
2FG Festkörperelektronik, Institut für Mikro- und Nanotechnologien.
3Institut für Mikroelektronik- und Mechatronik-Systeme gGmbH.
Fachartikel