Entwurf von HF-Baublöcken
Für das Designkit der X-FAB Semiconductor Foundries AG wurde eine Bibliothek mit typischen HF-Zellen sowie einer darauf abgestimmten Bias-Zelle entworfen und messtechnisch charakterisiert. So sollen die Möglichkeiten der Technologie demonstriert werden. Gleichzeitig wird Kunden der Einstieg in den Entwurf von HF-ASICs erleichtert.
- Technologie: 0.6 µm BiCMOS
- Zellen: Bias, VCOs, LNAs, Prescaler, PA, Mixer
- Anwendungsgebiet: ISM-Band bei 868 MHz
- Umgebungsbedingungen: 2.5 V…5.5 V, -40°C…85°C
- Chipfoto eines LNA-Testchips
- S-Parameter und Rauschzahl des LNAs
